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Name: Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor
Brand: LAP LAMBERT Academic Publishing
SKU: 3855519

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Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor

Failure analysis of Hot-Electron Effect on power RF N-LDMOS transistor. Mohamed Ali Belaïd. Taschenbuch. Taschenbuch

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