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Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern

Name: Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern
Brand: Martin Schuster
SKU: 4741835

Brand : Books on Demand, Binding : Taschenbuch, Edition : 1, Label : Books on Demand, Publisher : Books on Demand, medium : Taschenbuch, numberOfPages : 176, publicationDate : 2018-03-16, authors : Martin Schuster, ISBN : 3746097819

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Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern